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J-GLOBAL ID：200903035820190746
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡戸 昭佳 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997337203
Publication number (International publication number)：1999040808
Application date： Dec. 08, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 全体厚の増加,オン抵抗やリーク電流の増加等を伴わずに,スイッチオフ時特性を改善した半導体装置を,その製造方法とともに提供すること。【解決手段】 p基板101上に高濃度と低濃度のn型シリコン層を順次形成し,拡散領域形成時の熱処理温度より高い温度で熱処理して,nドリフト領域102a内に傾斜分布領域Tを形成した。あるいは,低濃度n型シリコン層に対し場所により窓サイズが異なるマスクを介してイオンを注入し,傾斜分布領域Tを形成した。このためスイッチオフ後に,pボディ領域107,157とnドリフト領域102a,152aの界面のpn接合からの空乏層の広がりが,急激に停止せず徐々にに減速されるので,コレクタ電流は急激に停止するのでなく緩やかに減少する。このため,ドリフト領域102d,152dの全体厚を厚くしたり全体の不純物濃度を上げたりしないで,発振や動的耐圧の低下が防止されている。
Claim (excerpt)：
第1導電型半導体領域と,前記第1導電型半導体領域の一部に接して設けられた機能素子とを有し,前記第1導電型半導体領域における不純物濃度が前記一部側よりもその対部側において高く,前記機能素子のうち前記第1導電型半導体領域に接する部分が第2導電型半導体で構成される半導体装置であって,前記第1導電型半導体領域の前記一部側と前記対部側との間に,不純物濃度がそれらの中間である部分を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 655 B
, H01L 29/78 658 E
