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J-GLOBAL ID：200903035822190255

半導体気相成長方法

Inventor： 葛原 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149250
Publication number (International publication number)：1997007951
Application date： Jun. 15, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 半導体選択気相成長において、基板上の成長速度を基板の保護膜上の成長速度よりはるかに大きくして、かつ、成長層のアンドープ残留キャリア濃度を低くできる成長方法の提供。【構成】 半導体基板4表面の所定の部分を保護膜5により被覆し、保護膜5の表面をさらに高融点金属6で被覆する。この高融点金属6を誘導加熱コイル8で断続的に加熱しながら気相成長を行う。これにより基板表面と保護膜表面との温度をそれぞれ独立に制御できるので、保護膜5上には殆ど成長せず半導体基板上に良好な特性の成長層を所望の成長速度で形成することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面の一部を保護膜により被覆し、半導体表面が露出した領域に選択的に半導体薄膜を気相成長法により成長させる場合において、前記保護膜表面の所望の領域を高融点金属で被覆し、かつこの高融点金属を電磁誘導により加熱することを特徴とする半導体気相成長方法。