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J-GLOBAL ID：200903035825130946

半導体装置の製造方法

Inventor： 田口 充
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997062901
Publication number (International publication number)：1998256372
Application date： Mar. 17, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】高圧リフロー法等により接続孔等に配線材料を埋め込む際、O3 -TEOS膜等の吸湿性の高い膜及びそれらの吸湿性の高い膜からプラズマSiO2 膜等の吸湿性の低い膜に拡散した水分が接続孔等に放出されて、その埋め込み性を劣化させることを防止する。【解決手段】吸湿性の高い膜4を接続孔7内面に露出させた状態で熱処理を行い、その吸湿性の高い膜4から水分を放出させる。吸湿性の高い膜4と吸湿性の低い膜6との間に窒化シリコン膜5を設け、上記熱処理時に、吸湿性の高い膜4から吸湿性の低い膜6に水分が拡散することを阻止する。吸湿性の高い膜4から充分に水分を放出させた後、埋め込み処理を行う。【効果】吸湿性の高い膜4から吸湿性の低い膜6に拡散した水分は、上記熱処理時には容易に放出されず、後の埋め込み処理時に接続孔7内に放出されるが、その放出が防止される。

Claim (excerpt)：

層間絶縁膜に設けた接続孔又は溝に配線材料の少なくとも一部を埋め込み形成する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜として、吸湿性の比較的高い第1の絶縁膜とこの第1の絶縁膜よりも吸湿性の低い第2の絶縁膜とを水分透過阻止膜を介して互いに積層して形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記接続孔又は溝を、その内面の少なくとも一部に前記第1の絶縁膜が露出するように形成する工程と、前記接続孔又は溝の内面に前記第1の絶縁膜が露出している状態で熱処理を行い、少なくとも前記第1の絶縁膜から水分を放出させる工程と、前記熱処理後、前記接続孔又は溝に前記配線材料を埋め込む工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 M