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J-GLOBAL ID：200903035832389211

薄膜配線回路基板とその製造方法及びそれを用いた電子回路

Inventor： 薮下 明 ,  伊藤 光子 ,  安藤 昭博 ,  志儀 英孝 ,  松山 治彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993156559
Publication number (International publication number)：1994260751
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】薄膜配線回路基板における電子部品接続用はんだ接続電極の膜厚を薄くしても、はんだバリア性が著しく向上し、多数回のリペアにも耐え、接続信頼性の高い接続電極を実現する。【構成】薄膜配線回路基板5における、はんだ接続を行う接続電極(端子)3のメタライズ構造のはんだ拡散防止用金属32として、はんだ接続時にはんだを構成する金属と容易に濡れ、かつ容易に合金化もしくは化合物を形成する例えばNiの如き第1の金属と前記はんだと容易に濡れず、化合物の形成がない例えばWの如き第2の金属との合金、及びこれら両金属の酸化物を含む合金膜を用いる。また、好ましくはこのはんだ拡散防止用金属32の表面を例えばAuの如き酸化防止保護膜で被覆することによってはんだ濡れ性の改善、酸化防止を図り、さらに下層の配線導体4との間に接着用金属31として例えばCr,Tiのうちいずれかを介在させる。

Claim (excerpt)：

高密度な配線回路パタ-ンを有し、外部にはんだ接続によって電子部品を接続、実装する接続電極が設けられた薄膜配線回路基板において、前記接続電極が、はんだ接続時にはんだを構成する金属と容易に濡れ、かつ容易に合金化もしくは化合物を形成する第1の金属と前記はんだに容易に濡れず、化合物の形成がない第2の金属との合金、及びこれら両金属の酸化物とから構成されて成る薄膜配線回路基板。

IPC (5)：

H05K 3/34 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/46