リソグラフィ用ダイヤモンド膜の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000343364
Publication number (International publication number)：2001203155
Application date： Nov. 10, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】基板上に高い結晶性と所望の膜応力を有するダイヤモンド膜を成膜できると共に、成膜後に平滑性や膜応力等を損なうことなく容易にダイヤモンド膜の製造を行うことができるリソグラフィ用ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。【解決手段】下地膜を形成させたシリコン基板又は下地基板上にメタンガス、水素ガス及び酸素ガスからなる混合ガスを原料ガスとしてダイヤモンド膜を成膜させた後、該基板をエッチング除去してリソグラフィ用ダイヤモンド膜を製造する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に下地膜を形成させ、該下地膜上にメタンガス、水素ガス及び酸素ガスの混合ガスを原料ガスとしてダイヤモンド膜を成膜させた後、シリコン基板をエッチングして除去し、引き続き下地膜をエッチングして除去することによるリソグラフィ用ダイヤモンド膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/027 , C23C 16/01 , C23C 16/27 , G03F 1/16 , H01L 21/205 , H01L 21/306

FI (6)：

C23C 16/01 , C23C 16/27 , G03F 1/16 A , H01L 21/205 , H01L 21/30 531 M , H01L 21/306 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平2-158121
特開平4-338628
特開平4-338628

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