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J-GLOBAL ID：200903035861747666

半導体部材の製造方法、半導体基体の利用方法、半導体部材の製造システム、半導体部材の生産管理方法及び堆積膜形成装置の利用方法

Inventor： 米原 隆夫 ,  渡部 国男 ,  坂口 清文 ,  近江 和明 ,  嶋田 哲也
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000085019
Publication number (International publication number)：2000349266
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウエハの効率的かつ経済的な活用を図る。【解決手段】 半導体基体上に非多孔質層を有する第1の部材を用意する第1の工程(S11、S12)と、非多孔質層を該第1の部材から第2の部材上へ移設する第2の工程(S13、S14)とを含み、第2の工程で第1の部材から該非多孔質層が分離されて得られる半導体基体を、再度第1の工程における第1の部材の構成材料として使用することを(n-1)回(nは2以上の自然数)行って、第1及び第2の工程をn回繰り返し、n回目の該第2の工程で分離された半導体基体を第1及び第2の工程以外の用途に用いる。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に非多孔質層を有する第1の部材を用意する第1の工程と、該非多孔質層を該第1の部材から第2の部材上へ移設する第2の工程とを含み、該第2の工程で該第1の部材から該非多孔質層が分離されて得られる該半導体基体を、再度該第1の工程における該第1の部材の構成材料として使用することを(n-1)回(nは2以上の自然数)行って、該第1及び第2の工程をn回繰り返し、n回目の該第2の工程で分離された該半導体基体を該第1及び第2の工程以外の用途に用いることを特徴とする半導体部材の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B