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J-GLOBAL ID：200903035869387723

半導体発光素子およびその製法

Inventor： 尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202479
Publication number (International publication number)：1996064912
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 基板面に対して垂直にエッチングされた側面が、半導体レーザや側面から発光するLEDなどの発光特性を向上することができるチッ化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体発光素子およびその製法を提供する。【構成】 R面もしくはM面を主面とするサファイア基板1上に少なくともn型層およびp型層を含み発光部(活性層)を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層2〜7を積層し、該基板1に垂直にエッチングして、該エッチングされた側面から光をとり出す半導体発光素子において、その光をとり出す側面が前記チッ化ガリウム系化合物半導体の(0001)結晶面であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

サファイア基板のR面またはM面上に積層されたチッ化ガリウム系化合物半導体層を構成要素とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00