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J-GLOBAL ID：200903035885734298

半導体量子ドット素子及びその製造方法

Inventor： 楊 涛 ,  館林 潤 ,  塚本 史郎 ,  荒川 泰彦
Applicant, Patent owner： 東京大学長
Agent (4)： 三好 秀和 ,  山田 賢二 ,  伊藤 市太郎 ,  桂田 健志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003304978
Publication number (International publication number)：2005079182
Application date： Aug. 28, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】均一性の高い量子ドットの作製条件を見つけることにより、フォトルミネッセンス半値幅を極限まで狭めることができる半導体量子ドット素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に結晶成長により形成された第1の半導体バッファ層と、第1の半導体バッファ層上に結晶成長により形成され、第1の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ、3次元成長が生じない膜厚を積層してなる第2の半導体バッファ層と、第2の半導体バッファ層上に形成され、単原子層平坦化が生じる膜厚を有する第3の半導体バッファ層と、第3の半導体バッファ層上に形成され、第3の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ3次元成長が生じる臨界膜厚以上の膜厚を積層してなる量子ドット層を有すること第3の半導体バッファ層の表面に2次元方向の様々な方向にステップを密に形成することができる。これにより量子ドットを2次元面内に均一且つ密に結晶成長させることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に結晶成長により形成された第1の半導体バッファ層と、 前記第1の半導体バッファ層上に結晶成長により形成され、前記第1の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ、3次元成長が生じない膜厚を積層してなる第2の半導体バッファ層と、 前記第2の半導体バッファ層上に形成され、単原子層平坦化が生じる膜厚を有する第3の半導体バッファ層と、 前記第3の半導体バッファ層上に形成され、前記第3の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ、3次元成長が生じる臨界膜厚以上の膜厚を積層してなる量子ドット層とを有することを特徴する半導体量子ドット素子。

IPC (2)：

H01S5/343 ,  H01L21/205

FI (2)：

H01S5/343 ,  H01L21/205

F-Term (19)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045BB18 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F073AA75 ,  5F073BA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073HA02 ,  5F073HA10