低誘電率絶縁膜形成用組成物および低誘電率絶縁膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998219422
Publication number (International publication number)：2000058540
Application date： Aug. 03, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】加工が容易で、配線間容量が小さな信頼性の高い、均一な粒径を有する多孔質酸化シリコンからなる絶縁膜の形成方法、及び該絶縁膜形成用組成物を提供する。【解決手段】所定の分子量分布を有するアルコキシシラン化合物の重合体を含有する、半導体装置の低誘電率絶縁膜形成用組成物、及び該低誘電率絶縁膜形成用組成物を基板表面に塗布する工程と、前記塗布表面を50〜200°Cで乾燥する工程と、さらに300〜500°Cで焼成する工程を有する半導体装置の低誘電率絶縁膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

所定の分子量分布を有するアルコキシシラン化合物の重合体を含有する、半導体装置の低誘電率絶縁膜形成用組成物。

IPC (5)：

H01L 21/316 , B05D 5/12 , C01B 33/12 , C09D183/06 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/316 G , B05D 5/12 D , C01B 33/12 C , C09D183/06 , H01L 21/90 Q

F-Term (40)：

4D075BB24Z , 4D075BB28Z , 4D075CA23 , 4D075DC22 , 4D075EB42 , 4G072AA28 , 4G072BB09 , 4G072EE01 , 4G072FF04 , 4G072GG02 , 4G072GG03 , 4G072HH30 , 4G072MM01 , 4G072MM36 , 4G072NN21 , 4G072PP17 , 4G072RR05 , 4G072UU01 , 4G072UU30 , 4J038DL031 , 4J038KA03 , 4J038MA14 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 5F033AA02 , 5F033BA15 , 5F033EA05 , 5F033EA12 , 5F033EA25 , 5F033EA26 , 5F033EA33 , 5F033FA03 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF46 , 5F058BF80 , 5F058BH01 , 5F058BH04 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-275337
ポリハイドロジェンシルセスキオキサンの分子量分別方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-338103 Applicant：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
特開昭63-120774

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