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J-GLOBAL ID:200903035901666800

ホトレジスト組成物の製造方法、ろ過装置、塗布装置及びホトレジスト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003416583
Publication number (International publication number):2004212975
Application date: Dec. 15, 2003
Publication date: Jul. 29, 2004
Summary:
【課題】 現像後のレジストパターンのディフェクトの発生を抑制できるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。また、異物経時特性(保存安定性)に優れるホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。そして、さらに好ましくは、処理前後で感度やレジストパターンサイズの変化が起こりにくいホトレジスト組成物が得られる技術を提供する。【解決手段】樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含むホトレジスト組成物を、pH7.0の蒸留水において-20mV超、15mV以下のゼータ電位を有する第1の膜を備えた第1のフィルタ2qを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含むホトレジスト組成物を、pH7.0の蒸留水において-20mV超、15mV以下のゼータ電位を有する第1の膜を備えた第1のフィルタを通過させる工程を有することを特徴とするホトレジスト組成物の製造方法。
IPC (9):
G03F7/26 ,  B01D61/14 ,  B01D61/58 ,  B01D69/02 ,  B01D71/26 ,  B01D71/56 ,  C08F220/10 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (9):
G03F7/26 ,  B01D61/14 500 ,  B01D61/58 ,  B01D69/02 ,  B01D71/26 ,  B01D71/56 ,  C08F220/10 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (42):
2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CC03 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096LA16 ,  2H096LA30 ,  4D006GA02 ,  4D006KA52 ,  4D006KA56 ,  4D006MA22 ,  4D006MB19 ,  4D006MC22 ,  4D006MC23 ,  4D006MC30 ,  4D006MC54 ,  4D006PB20 ,  4D006PB70 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC12S ,  4J100BC15Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (8)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 半導体産業新聞, 19971105, 第10面

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