Pat
J-GLOBAL ID：200903035905035391
圧力/温度センサ及び圧力/温度複合検出素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999355699
Publication number (International publication number)：2001174352
Application date： Dec. 15, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：
【要約】【課題】 製造コストを低減でき、小型化が図れる圧力/温度センサを提供することである。【解決手段】 圧力検出素子として機能するシリコン基板1のダイヤフラム部7を除く領域の所定の範囲に絶縁薄膜91を形成し、その上に薄膜温度検出素子92を新たに形成し、その抵抗-温度特性を利用して温度を検出する。
Claim (excerpt)：
ダイヤフラム部を有するシリコン基板と電極部が形成された絶縁基板とが接合されて構成された圧力検出素子部分と、前記のシリコン基板の上であって、かつ前記ダイヤフラム部を除く領域に形成された絶縁薄膜上に形成された薄膜温度検出素子とによって複合的に形成されていることを特徴とする圧力/温度複合検出素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (15)：
2F055AA21
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE25
, 2F055FF49
, 2F055GG01
, 2F055GG11
, 4M112AA01
, 4M112AA10
, 4M112BA07
, 4M112BA10
, 4M112CA07
, 4M112CA15
, 4M112DA18
, 4M112EA02
