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J-GLOBAL ID：200903035928324234

半導体デバイス形成方法

Inventor： アジャイ・ジェイン ,  エリザベス・ウェイツマン
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998105683
Publication number (International publication number)：1998284440
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】拡散隔膜をデポジションする際に、 理想的な抵抗値に比較的適合し、低いウェハの温度で良い隔膜の質を形成し得る有機性前駆物質を使用して、TaNまたはTaSiNをデポジションする方法を提供する。【解決手段】リフラクトリ金属窒化物およびリフラクトリ金属シリコン窒化膜が、金属有機化学蒸着を使用して形成され得る。窒化タンタル(TaN)は、エチルトリキス(ジエチルアミド)タンタル(ETDET)およびアンモニアを使用し、化学蒸着(CVD)により形成され得る。シランを含むことにより、窒化シリコンタンタル(TaSiN)層もまた、形成可能である。これらの層は、その膜内の炭素の含有量を比較的少ないように、約400°C以下のウェハ温度にて形成され得る。故に、この実施例は、比較的適合し、非常に依り拡散隔膜の質を有する窒化タンタルまたは窒化シリコンタンタルを形成するために使用され得る。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスを形成する方法であって:化学蒸着(CVD)反応装置内に半導体基板を位置付ける段階;前記CVD反応装置内に金属有機前駆物質を導入する段階;前記CVD反応装置内に半導体ソースを導入する段階;および前記金属有機前駆物質をを反応させる段階であって、前記半導体ソースが耐熱金属ー半導体ー窒化物層(34)を形成する、ところの段階:から構成されることを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/88 M