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J-GLOBAL ID：200903035938297588

光半導体素子

Inventor： ゲルハルト ファーソル ,  荒川 泰彦
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 阿部 龍吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993046486
Publication number (International publication number)：1994260725
Application date： Mar. 08, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 特定の偏光方向を持つ円偏光された光を選択的に検出し、放射し又は変調することができる光半導体素子を提供する。【構成】 n層3、活性層4、p層5により、2重ヘテロ構造または量子井戸構造からなる半導体素子を構成している。磁性体電極2は、この半導体素子の上に形成したものであり、スピン偏極された電子(または正孔)を活性層4に注入し、特定の偏光された光を優先的に放射、吸収、または反射するように構成した。p層5は、広いバンドギャップを持ち、正孔を注入するp型ドープ層であり、活性層4は、電子と正孔の再結合が生じる狭いバンドギャップのアンドープ層であり、n層3は、広いバンドギャップを持ち、電子を注入するn型ドープ層である。光を放射する半導体素子ではスピン偏極したキャリアを光放射構造の再結合領域である活性層4に注入することによって、偏光した光を放射する。

Claim (excerpt)：

活性領域を有するpn接合またはpin接合構造の半導体素子の上部又は下部又はその両方に磁性体電極を設け、該磁性体電極により活性領域にスピン偏極した電子又は正孔を注入するように構成したことを特徴とする光半導体素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/09 ,  H01S 3/103