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J-GLOBAL ID：200903035943438068

低温焼成セラミック用導体ペースト及び低温焼成セラミック多層基板の製造方法

Inventor：
中野 悟

About 中野 悟


Applicant, Patent owner：
株式会社住友金属エレクトロデバイス

About 株式会社住友金属エレクトロデバイス


Agent (1)： 加古 宗男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997230943
Publication number (International publication number)：1999066951
Application date： Aug. 27, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 低温焼成セラミックと同時焼成するAgペーストの過剰焼結を抑制する。【解決手段】 低温焼成セラミックのグリーンシート21のビアホール22に充填する導体ペーストは、導体としてAg粉末を含み、且つ、焼結抑制材として、酸化開始温度が300°C以上のケイ化物(例えばCrSi2 、ZrSi2 等)を含む。Ag粉末とケイ化物との配合比は、Agが50〜99.5重量%、ケイ化物が0.5〜50重量%とする。この導体ペーストを各層のグリーンシート21のビアホール22に印刷により充填してビア導体23を形成する。更に、最上層のグリーンシート21のビア導体23上に、ケイ化物を含まない導体ペースト(Agペースト、Ag-Pdペースト等)を印刷してパッド25を形成する。印刷工程終了後、各層のグリーンシート21を積層し、これを空気中で800〜1000°Cで焼成する。
Claim (excerpt)：
低温焼成セラミックのグリーンシートに印刷して、該グリーンシートと同時焼成する導体ペーストであって、導体としてAg系の金属粉末を含み、且つ、焼結抑制材として酸化開始温度が300°C以上のケイ化物の粉末を含んでいることを特徴とする低温焼成セラミック用導体ペースト。
IPC (3)：
H01B 1/16 ,  H05K 3/12 610 ,  H05K 3/46
FI (3)：
H01B 1/16 Z ,  H05K 3/12 610 G ,  H05K 3/46 H
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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