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J-GLOBAL ID：200903035952003856

凸状パターンへのインキ層形成方法

Inventor：
小坂 陽三

About 小坂 陽三

, 
田中 浩之介

About 田中 浩之介


Applicant, Patent owner：
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (1)： 内田 亘彦 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996341333
Publication number (International publication number)：1998181180
Application date： Dec. 20, 1996
Publication date： Jul. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明の目的は、PDPや多層電極板において、凸状電極パターン上も含め基板上に転写抜けのない誘電体層を形成でき、歩留りを向上させることができ、更に、誘電体層形成層の表面平滑性に優れ、かつ膜厚が均一で分布精度の良好な層形成を可能とする凸状パターンへのインキ層形成方法の提供にある。【解決手段】 本発明の転写シートは、ストライプ状の凸状パターン13を有する基板14上に、ベースフイルム11上に少なくもガラスフリットを有する無機粒子および焼成により除去される樹脂とを含有するインキ層12を有する転写シートSをそのインキ層側からラミネートし、該インキ層12を凸状パターン13を有する基板14上に転写するに際して、前記転写シートSを、凸状パターン13のストライプ方向と平行な方向にラミネートしてインキ層12を転写するものである。
Claim (excerpt)：
ストライプ状の凸状パターンを有する基板上に、ベースフイルム上に少なくもガラスフリットを有する無機粒子および焼成により除去される樹脂とを含有するインキ層を有する転写シートをそのインキ層側からラミネートし、該インキ層を凸状パターンを有する基板上に転写するに際して、前記転写シートを、凸状パターンのストライプ方向と平行な方向にラミネートしてインキ層を転写することを特徴とする凸状パターンへのインキ層形成方法。
IPC (3)：
B41M 1/40 ,  H01J 9/02 ,  G02F 1/13 101
FI (3)：
B41M 1/40 Z ,  H01J 9/02 F ,  G02F 1/13 101
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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