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J-GLOBAL ID：200903035954998200

磁気抵抗効果素子

Inventor： 深見 達也 ,  前田 喜信
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998093348
Publication number (International publication number)：1999298063
Application date： Apr. 06, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 使用可能な温度範囲および磁界の測定範囲が広く、高い磁界の検出感度を有するとともに、固定層から生じる静磁界の影響を低減した信頼性の高い磁気抵抗素子を提供することにある。【解決手段】 強磁性材料からなる第1磁性層1、絶縁層2、強磁性材料からなる第2磁性層3、薄膜磁石層である固定層4を備える。第2磁性層3の一端Aと第1磁性層1の一端Bとの間に定電流を流し、第2磁性層3の他端Cと第1磁性層1の他端D間の電圧を測定することにより、該電圧の変化と上記定電流とからトンネル抵抗の変化を検出し、その検出値に基づいて磁界を検出する。

Claim (excerpt)：

二つの強磁性層およびその間に位置する絶縁層からなるトンネルジャンクションを有し、上記二つの強磁性層のうちの一つの強磁性層の磁化が隣接して設けられた永久磁石層で固定されており、かつ該永久磁石層の着磁方向が該永久磁石層を構成しているパターンの長手方向であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R