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J-GLOBAL ID：200903035955253845

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および成長装置

Inventor： 朝妻 庸紀 ,  橋本 茂樹 ,  中村 文彦 ,  簗嶋 克典 ,  池田 昌夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998169759
Publication number (International publication number)：1999074203
Application date： Jun. 17, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高品質の窒化物系III-V族化合物半導体を効率よく成長させることができる窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および成長装置を提供する。【解決手段】 MOCVD装置の反応管1内の圧力を1.1気圧以上、特に、1.1気圧以上2気圧以下、好ましくは1.2気圧以上1.8気圧以下に設定して窒化物系III-V族化合物半導体、例えばGaNやInGaNなどを成長させる。反応管1は、石英ガラスなどにより、内外の圧力差に耐えられる十分な強度が得られるように構成する。窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる基板3の表面は上向きにしても下向きにしてもよい。

Claim (excerpt)：

有機金属化学気相成長法により窒化物系III-V族化合物半導体を成長させるようにした窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法において、反応管内の圧力を1.1気圧以上に設定して上記窒化物系III-V族化合物半導体を成長させるようにしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18