Pat

J-GLOBAL ID：200903035955642817

半導体単結晶棒の製造方法

Inventor： 津森 泰生 ,  岩崎 俊夫 ,  内藤 俊太 ,  小島 清 ,  高尾 滋良
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993061924
Publication number (International publication number)：1994271388
Application date： Mar. 22, 1993
Publication date： Sep. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】 コスト上昇を招くことなく生産効率がよく、かつ品質の優れた半導体単結晶棒の製造方法を提供することにある。【構成】 るつぼ内で溶融する半導体融液に種結晶を接触させ、この種結晶を徐々に引き上げることで半導体単結晶を成長させる半導体単結晶棒の製造方法において、前記種結晶の引上げ速度を周期的に変化させながら単結晶を成長させることを特徴とする半導体単結晶棒の製造方法。

Claim (excerpt)：

るつぼ内で溶融する半導体融液に種結晶を接触させ、この種結晶を徐々に引き上げることで半導体単結晶を成長させる半導体単結晶棒の製造方法において、前記種結晶の引上げ速度を周期的に変化させながら単結晶を成長させることを特徴とする半導体単結晶棒の製造方法。

IPC (2)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502