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J-GLOBAL ID：200903035964939920

半導体圧力センサ

Inventor： 大谷 圭三
Applicant, Patent owner： 山武ハネウエル株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993020856
Publication number (International publication number)：1994213743
Application date： Jan. 14, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 折り返しゲージのブレークダウン電圧を高くする。【構成】 半導体基板1の表面にピエゾ領域として作用する折り返しゲージ2を形成する。この折り返しゲージ2は、低濃度のゲージ部2a,2b、このゲージ2a,2bを連結する高濃度の連結部3およびリードアウト部4a,4bを備え、かつ半導体基板1の内部に形成した低濃度の導電型半導体物質領域14により前記連結部3およびリードアウト部4a,4bを取り囲み、半導体基板1からアイソレートする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面にピエゾ領域として作用する折り返しゲージを形成し、この折り返しゲージのゲージ部間連結部およびリードアウト部をゲージ部より高濃度に形成した半導体圧力センサにおいて、前記半導体基板の内部に前記連結部およびリードアウト部の少なくともいずれか一方を取り囲む低濃度の導電型半導体物質領域を形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-052727
  
• 特開平4-053723
  
• 特開昭60-253279