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J-GLOBAL ID：200903035977976166

CVD装置およびCVD膜の成膜方法

Inventor： 小笠原 伸好
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991299889
Publication number (International publication number)：1993109635
Application date： Oct. 18, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【構成】 反応室内に浄化用液体としてのガリウムを供給するための液体供給口を、供給された浄化用液体が反応室周壁内面に沿って流れるように前記反応室の上部に設けた。【効果】 成膜中、反応室1の周壁内面は流れ続ける液体ガリウム12で覆われることとなり、熱分解した成膜用の原料ガスが反応室1の周壁内面に流れてきても、液体ガリウム12とともに流されることとなり、熱分解ガスが反応室1の周壁内面に付着することはなく、反応室1の周壁内面に熱分解ガス膜が堆積するのを防止できる。

Claim (excerpt)：

その内部にガスを供給するためのガス供給口及びガスを排気するための排気口を有する反応室と、該反応室内に配置され、被処理体を載置するためのサセプタと、該サセプタを加熱する加熱機構と、前記反応室の周壁を冷却するための冷却機構とを備え、前記被処理体の表面にCVD膜を形成するCVD装置において、前記反応室の上部に設けられ、前記反応室内に浄化用液体を該液体が反応室周壁内面に沿って流れるよう供給する液体供給口を備えたことを特徴とするCVD装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/00 ,  C30B 25/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31