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J-GLOBAL ID：200903035982258719
バイポーラトランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991188854
Publication number (International publication number)：1993036710
Application date： Jul. 29, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 従来、PNP型バイポーラトランジスタでは、表面の酸化膜と半導体基板のP- 界面において、P型層がN型に反転し、特に低い電圧の領域で容量の増加を招き、高周波特性を劣化させるという問題があった。本発明はこの反転層を防止し、PNP型バイポーラトランジスタの高周波特性を改善するとともに、係るトランジスタをより簡素で、より低温で処理可能な製造工程を提供しようとするものである。【構成】 LOCOS酸化膜(6)により囲まれたN型拡散層からなるベース領域(4)の、そのLOCOS酸化膜の外側にP型拡散層からなるチャンネルストッパー領域(9)を設けたものである。更に、チャンネルストッパー領域は、エミッタ領域と同時に形成され、その製造方法においては、エミッタ、ベースコンタクト及びLOCOS酸化膜のバーズビーク部分を含めてチャンネルストッパーを同時に開口する工程によって、チャンネルストッパー領域(9)の形成を、エミッタ領域(4)の形成と同時に行う。
Claim (excerpt)：
LOCOS酸化膜により囲まれたN型拡散層からなるベース領域と、該ベース領域に設けられたP型拡散層からなるエミッタ領域及びN型拡散層のベースコンタクトと、前記ベース領域を囲むLOCOS酸化膜の外側に配設されたP型拡散層からなるチャンネルストッパー領域を具備することを特徴するバイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/76
