電力用半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：越場隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993034826
Publication number (International publication number)：1993304297
Application date： Jan. 29, 1993
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】電力用半導体装置のセルサイズを縮小する。【構成】ゲート電極3の側部を側面酸化膜5により覆い、また、この側面酸化膜5間のシリコン基板1の表面からベース領域6に到達する深さの溝にタングステン膜8を埋設する。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体のドレイン領域と、このドレイン領域に接して形成された第2導電型のベース領域と、このベース領域に接して形成された第1導電型のソース領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に前記ベース領域を位置させるように前記ソース領域と前記ベース領域と前記ドレイン領域とを覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、このゲート電極と前記ゲート絶縁膜との側面でかつ前記ソース領域上に形成された側面絶縁膜と、この側面絶縁膜の表面と整合するように形成されて、前記半導体表面から前記ベース領域に達する溝と、この溝の内部に埋め込まれた金属膜とを含むことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 321 V , H01L 29/78 321 P , H01L 29/78 321 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-185737
特開平3-105979
特開昭61-281556

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