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J-GLOBAL ID：200903035992045004

半導体装置の電極の製造方法

Inventor： 石川 夏也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998318965
Publication number (International publication number)：2000150422
Application date： Nov. 10, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】従来のような蒸着法、スパッタリング法等を用いることなく、安価にかつ高精度にバラツキのない電極を形成できる半導体装置の電極の製造方法を提供する。【解決手段】光起電力を生じ得るシリコンウェーハWに無電解メッキ処理を施して電極を形成する際に、シリコンウェーハWを遮光筐体10の内部に配置して、このシリコンウェーハWに照射される光を遮断した遮光状態を形成し、この遮光状態のままで無電解メッキ処理を施す。

Claim (excerpt)：

光起電力を生じ得る半導体装置に無電解メッキ処理を施して電極を形成する半導体装置の電極の製造方法であって、前記光起電力を取り除いた状態で、前記無電解メッキ処理を施す、ことを特徴とする半導体装置の電極の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/288 ,  C23C 18/16

FI (2)：

H01L 21/288 Z ,  C23C 18/16 B

F-Term (16)：

4K022AA02 ,  4K022AA41 ,  4K022BA03 ,  4K022BA14 ,  4K022BA25 ,  4K022BA33 ,  4K022BA36 ,  4K022CA03 ,  4K022CA15 ,  4K022CA16 ,  4K022DA01 ,  4K022DB15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104DD53 ,  4M104HH20