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J-GLOBAL ID：200903036002014629
半導体装置及びその製造方法並びにキャリア基板及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999280950
Publication number (International publication number)：2001102484
Application date： Oct. 01, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 製造工程を簡略化して、低コストで量産可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子2と、該半導体素子2を底部に搭載すると共に、該底部の周囲にその位置よりも高い段部4aを形成した搭載部金属膜4と、該搭載部金属膜4の周囲に離間して位置し、半導体素子2の信号用電極部と電気的に接続した接続部金属膜5と、搭載部金属膜4及び接続部金属膜5の実装面側を露出させて半導体素子2、搭載部金属膜4及び接続部金属膜5を樹脂封止した樹脂封止部7とを具備し、搭載部金属膜4の段部4aと半導体素子2のグランド用電極部とを電気的に接続した。
Claim (excerpt)：
半導体素子と、該半導体素子を底部に搭載すると共に、該底部の周囲にその位置よりも高い段部を形成した搭載部金属膜と、該搭載部金属膜の周囲に離間して位置し、前記半導体素子の信号用電極部と電気的に接続した接続部金属膜と、前記搭載部金属膜及び前記接続部金属膜の実装面側を露出させて前記半導体素子、搭載部金属膜及び接続部金属膜を樹脂封止した樹脂封止部とを具備し、前記搭載部金属膜の段部と前記半導体素子のグランド用電極部とを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/50 R
, H01L 23/12 L
