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J-GLOBAL ID：200903036002331187

半導体レーザ装置の製造方法

Inventor： 伴 雄三郎 ,  木戸口 勲 ,  大仲 清司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044412
Publication number (International publication number)：1993243672
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 発振波長が安定で、経時変化しない信頼性の高いAlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザ装置を提供することを目的としている。また、本発明はCODレベルが高く、高出力型のAlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザ装置を提供する。【構成】 AlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザ装置の作製工程において、ダブルヘテロ構造のエピタキシャル成長後、ウエファー全領域特に活性層を電子線照射して自然超格子構造を破壊する。その結果、同じ活性層組成で発振波長が最短波長となり、かつ経時変化がなくなる。また、本発明は、AlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザ装置の作製工程において、共振器端面を電子線照射し、共振器端面近傍の活性層の自然超格子を破壊し、バンドギャップエネルギーを大きくする。この結果、非吸収ミラー構造のレーザ構造が容易にでき、高出力化が実現できる。

Claim (excerpt)：

n型GaAs基板上に順次n型AlGaInPクラッド層、AlGaInPあるいはGaInP活性層、p型AlGaInPクラッド層、p型GaInPエッチング層、p型AlGaInPクラッド層、p型GaInP中間層、p型GaAsキャップ層を成長してダブルヘテロ構造を形成し、次に前記p型GaAsキャップ層、p型GaInP中間層、p型AlGaInPクラッド層をエッチングによってメサストライプ状にし、次にn型GaAs電流ブロッキング層およびp型GaAs電極コンタクト層を成長する工程において、前記ダブルヘテロ構造の形成後前記p型GaAsキャップ層側から、全領域電子線を照射することを特徴とするAlGaInP/GaAs系可視光半導体レーザの製造方法。