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J-GLOBAL ID：200903036002413043

半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置

Inventor： 野口 美代子
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046265
Publication number (International publication number)：1993217840
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 回路パターンの形状及び照明方法を適切に設定し、高解像度の投影パターン像が得られる半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置を得ること。【構成】 主波長λの光束で斜め照明した原板上の微細パターンから生じる回折光を開口数NAの投影光学系の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パターンを感光性基板に投影して半導体デバイスを製造する際、該原板上の微細パターンは周期的に配列した複数の格子パターンより成り、該感光性基板上に投影される該格子パターン像の一辺から垂直方向に測った距離をDとしたとき、D≦λ/NAの範囲内に隣接する格子パターンがない部分的孤立パターンに対して線幅をLとしたとき、L≦0.2(λ/Na)の補助パターンを該部分的孤立パターンの一辺の少なくとも一部に平行に該一辺から垂直方向に測った距離をSとしたとき、0≦S≦0.1(λ/NA)の範囲内に設けていること。

Claim (excerpt)：

主波長λの光束で斜め照明した原板上の微細パターンから生じる回折光を開口数NAの投影光学系の瞳面上に入射させて、該原板上の微細パターンを感光性基板に投影して半導体デバイスを製造する際、該原板上の微細パターンは周期的に配列した複数の格子パターンより成り、該感光性基板上に投影される該格子パターン像の一辺から垂直方向に測った距離をDとしたとき、D≦λ/NAの範囲内に隣接する格子パターンがない部分的孤立パターンに対して線幅をLとしたとき、L≦0.2(λ/NA)の補助パターンを該部分的孤立パターンの一辺の少なくとも一部に平行に該一辺から垂直方向に測った距離をSとしたとき、0≦S≦0.1(λ/NA)の範囲内に設けていることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-210560
  
• 特開昭63-216052
  
• 特開平3-089346