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J-GLOBAL ID：200903036014971556

薄膜形成装置

Inventor： 豊田 真一郎 ,  筒井 裕二 ,  松下 圭成
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991248781
Publication number (International publication number)：1993090162
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 反応生成物及び原料ガスの残りが真空ポンプ内に溜まるのを減少させた薄膜形成装置を提供することを目的とする。【構成】 排気系5に加熱器を備えた処理室8を設け、処理室8に反応ガスを導入するガス導入系7を備えたことにより、真空ポンプ内に反応生成物及び反応ガスの残りが溜まるのを防止する。

Claim (excerpt)：

反応室と、この反応室に薄膜形成用原料ガスを導入するガス導入装置と、前記反応室内に原料ガスを導入して被処理体を処理し、排ガスを排気する排気装置を有する薄膜形成装置において、前記排ガスに接触する排気装置に加熱器を設けた処理室を備え、前記処理室に、反応ガスを導入するガス導入装置を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-125876
  
• 特開昭59-223294
  
• 特開平2-021616