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J-GLOBAL ID：200903036019256758

半導体圧力センサおよびその製造方法

Inventor： 一法師 隆志 ,  西村 正
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992240625
Publication number (International publication number)：1994089939
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体圧力センサにおいて、感圧抵抗体および配線層と、半導体基板との間の絶縁耐圧を向上させることを目的とする。【構成】 本発明では上記目的を達成するため配線層7の平面位置が隣接するドットシード3の間を通るように構成する。

Claim (excerpt)：

主表面を有する単結晶半導体基板と、前記単結晶半導体基板の主表面上の所定領域に形成された第1の絶縁層と、前記単結晶半導体基板の主表面のうち前記第1の絶縁層が形成されない領域に形成された複数の種結晶領域と、前記種結晶領域から前記第1の絶縁層上に横方向に単結晶を成長させることにより形成した単結晶層からなり、前記第1の絶縁層上の所定領域に形成された感圧抵抗体層と、前記感圧抵抗体層および前記第1の絶縁層を覆うように形成され、前記感圧抵抗体層上の所定領域に開口を有する第2の絶縁層と、前記開口を介して前記感圧抵抗体層に電気的に接続されるとともに前記第2の絶縁層上に形成された配線層とを備え、前記複数の種結晶領域は、前記感圧抵抗体層を取り囲むように所定の間隔を隔てて形成されており、前記配線層は、その平面位置が前記隣接する種結晶領域の間を通るように形成されている、半導体圧力センサ。

IPC (3)：

H01L 21/84 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-076959
  
• 特開平2-143465
  
• 特開昭61-095546