接合式SOI半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大川宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296894
Publication number (International publication number)：1995153835
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】トレンチ分離接合式SOI半導体装置において、工程増加を抑止しつつ半導体基板の反りを低減する。【構成】本発明の製造方法では、非接合主面に外部絶縁膜5を有する半導体基板1と半導体層3とを内部絶縁膜2を挟んで接合してなる接合基板において、半導体層3にトレンチを形成するためのマスクとしての窒化シリコン膜を形成した後、外部絶縁膜5上に付着した窒化シリコン膜を除去する。このようにすれば、硬い窒化シリコン膜と半導体基板1との熱膨張率の差による半導体基板1の反りを防止することができる。本発明の接合式SOI半導体装置では、内部絶縁膜2と同素材にて同厚、同密度の外部絶縁膜5が、半導体基板1の非接合主面(裏面)に成膜される。このようにすれば、半導体基板1の反りを防止できる。

Claim (excerpt)：

非接合主面に外部絶縁膜を有する基台用の半導体基板と素子形成用の半導体層とを内部絶縁膜を挟んで接合した後、前記半導体層の表面にトレンチ形成用マスクとしての窒化シリコン膜を形成し、前記窒化シリコン膜形成時に前記外部絶縁膜上に付着した窒化シリコン膜を除去し、前記半導体層上の前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体層をトレンチし、トレンチにポリシリコンを埋設して誘電体分離構造の島状半導体領域を形成することを特徴とする接合式SOI半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/762 , H01L 21/76 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L 21/76 D , H01L 21/76 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体基板とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-192853 Applicant：株式会社東芝

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