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J-GLOBAL ID：200903036044540118
光電変換素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994215411
Publication number (International publication number)：1996078703
Application date： Sep. 09, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 感度が波長帯に依存しない新規な光電変換素子を提供することを目的とする。【構成】 半導体層1を介して第1の磁性体層2・第2の磁性体層3が積層された光誘起磁性積層膜4を備えた光電変換素子である。この素子に半導体層1のバンドギャップ、あるいは不純物準位に対応する光を照射すると、第1の磁性体層2および第2の磁性体層3間の交換相互作用の符号が変化し、第1の磁性体層2の磁化方向が選択的に変化し、電気抵抗の変化を起こす。
Claim (excerpt)：
第1の磁性体層と、第2の磁性体層と、前記第1および第2の磁性体層間に介在する半導体層とを有する第1の積層膜が、光照射により前記第1および第2の磁性体層間の交換相互作用の符号を変化させて、前記第1の磁性体層の磁化方向を選択的に変化させ、電気抵抗の変化を起こす光電変換素子。
IPC (3)：
H01L 31/00
, G01J 1/02
, H01L 43/08
