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J-GLOBAL ID：200903036045500071

膜形成用組成物、絶縁膜形成用材料およびシリカ系膜

Inventor：
西川 通則

About 西川 通則

, 
玉木 研太郎

About 玉木 研太郎

, 
山田 欣司

About 山田 欣司


Applicant, Patent owner：
ジェイエスアール株式会社

About ジェイエスアール株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157642
Publication number (International publication number)：2001335748
Application date： May. 29, 2000
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 塗膜の機械的特性やクラック耐性やTaNとの密着性に優れ、かつ低い比誘電率を示す絶縁膜形成用材料を得る。【解決手段】 (A)下記式(1)化合物と、(B)下記(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種の化合物とを加水分解縮合して得られる縮合物、及び(C)下記式(4)で表される有機溶媒を含有する膜形成用組成物。HSi(OR1)a・・・・・(1)R2aSi(OR3)4-a・・・・・(2)R4b(R5O)3-bSi-(R8)d-Si(OR6)3-cR7c・・・・・(3)R11O(CHCH3CH2O)8R12・・・・・(4)(式中R2はF原子又は一価の有機基、R1、R3〜R7は一価の有機基、R8はO原子又は-(CH2)n-、R11、R12はH或いは炭素数1〜4のアルキル基又はCH3CO-を示す、a、b、cは0〜2の整数、dは0または1、gは1〜2の整数、nは1〜6の整数を示す。)
Claim (excerpt)：
(A)下記一般式(1)で表される化合物およびHSi(OR1)3 ・・・・・(1)(R1は1価の有機基を示す。)(B)(B-1)下記一般式(2)で表される化合物R2aSi(OR3)4-a ・・・・・(2)(R2はフッ素原子または1価の有機基を示し、R3は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(B-2)下記一般式(3)で表される化合物 R4b(R5O)3-bSi-(R8)d-Si(OR6)3-cR7c ・・・(3)(R4,R5,R6およびR7は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R8は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物ならびに(C)下記一般式(4)で表される溶剤 R11O(CHCH3CH2O)gR12 ・・・・・(4)(R11およびR12は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO-から選ばれる1価の有機基を示し、gは1〜2の整数を表す。)を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (13)：
C09D183/04 ,  C08G 77/00 ,  C08G 77/58 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/04 ,  C08L 83/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  C09D185/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  C08L 83:12 ,  C08L 71:02
FI (13)：
C09D183/04 ,  C08G 77/00 ,  C08G 77/58 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/04 ,  C08L 83/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  C09D185/00 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  C08L 83:12 ,  C08L 71:02
F-Term (66)：
4J002CH012 ,  4J002CP021 ,  4J002CP041 ,  4J002CP051 ,  4J002CP182 ,  4J002CP191 ,  4J002CP201 ,  4J002ED026 ,  4J002FD312 ,  4J002FD317 ,  4J002GQ05 ,  4J035AA03 ,  4J035AB01 ,  4J035BA16 ,  4J035CA021 ,  4J035CA161 ,  4J035EA01 ,  4J035EB02 ,  4J035HA01 ,  4J035HA05 ,  4J035HA06 ,  4J035HB01 ,  4J035HB02 ,  4J035LA02 ,  4J035LB20 ,  4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL032 ,  4J038DL041 ,  4J038DL042 ,  4J038DL071 ,  4J038DL072 ,  4J038DL161 ,  4J038DL162 ,  4J038DM022 ,  4J038GA12 ,  4J038GA13 ,  4J038GA14 ,  4J038JA27 ,  4J038JA37 ,  4J038JA38 ,  4J038JA39 ,  4J038JA41 ,  4J038JB01 ,  4J038JC13 ,  4J038JC14 ,  4J038JC22 ,  4J038JC30 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038KA09 ,  4J038MA07 ,  4J038MA10 ,  4J038NA11 ,  4J038NA12 ,  4J038NA21 ,  4J038NA26 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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