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J-GLOBAL ID：200903036056676732
磁気抵抗センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995319003
Publication number (International publication number)：1997161232
Application date： Dec. 07, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：
【要約】【課題】 低磁場において,大きな抵抗変化率を示す磁気センサを得る。【解決手段】 基板の主面上に設けられた第1強磁性層/絶縁層/第2強磁性層の積層構造からなるトンネル接合を有し,印加磁場の無い場合は該第1強磁性層と該第2強磁性層の磁化の方向が直交し,且つ第1強磁性層の磁化の方向が該基板の一端面を指定した磁場感知面に対して平行で,該第2強磁性層の磁化の方向が該磁場感知面に対して垂直となるように配置され,該磁場感知面に垂直方向の外部磁場を測定する磁気抵抗センサであって,該第1強磁性層が該磁場感知面に接近して設けられている磁気抵抗センサ。
Claim (excerpt)：
基板の主面上に設けられた第1強磁性層/絶縁層/第2強磁性層の積層構造からなるトンネル接合を有し,印加磁場の無い場合は該第1強磁性層と該第2強磁性層の磁化の方向が直交し,且つ第1強磁性層の磁化の方向が該基板の一端面を指定した磁場感知面に対して平行で,該第2強磁性層の磁化の方向が該磁場感知面に対して垂直となるように配置され,該磁場感知面に垂直方向の外部磁場を測定する磁気抵抗センサであって,該第1強磁性層が該磁場感知面に接近して設けられていることを特徴とする磁気抵抗センサ。
Patent cited by the Patent：
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