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J-GLOBAL ID：200903036059926128
導電体の形成方法及び磁気ヘッドの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996350703
Publication number (International publication number)：1998198930
Application date： Dec. 27, 1996
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 製造過程において、ウエットエッチング液により侵食されることのない導電体の形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。【解決手段】 下地膜17上に形成するレジストフレーム18の幅W2 を5〜20μmに形成してめっき層20を形成する。従って、このレジストフレーム18Aを除去すれば5〜20μm幅の溝21が形成され、コアカバー24形成用のフォトレジストが溝21の中へ満遍なく充填され、残されるべきめっき膜20及び下地膜17、16、15が十分に被覆され、ウエットエッチング液で侵食されることがなくなる。
Claim (excerpt)：
支持体上に下地導電膜を介して所定パターンの導電体を形成するに際し、前記下地導電膜上に導電体材料層を形成する工程と、前記導電体材料層と前記下地導電膜とを通して所定パターンの溝を5〜20μmの幅に形成する工程と、前記溝にマスク層を充填すると共に、残されるべき前記導電体材料層上も前記マスク層によって被覆する工程と、前記マスク層を用いて、このマスク層のない非マスク領域に存在する前記導電体材料層及び前記下地導電膜を除去する工程とを行う、導電体の形成方法。
IPC (2)：
FI (3)：
G11B 5/39
, G11B 5/31 C
, G11B 5/31 K
