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J-GLOBAL ID：200903036080138890

硬質炭素被膜形成装置

Inventor： 平野 均 ,  蔵本 慶一 ,  堂本 洋一 ,  木山 精一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994119224
Publication number (International publication number)：1995070756
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 1回の真空排気によって処理できる基板の個数を増大させるとともに、基板の温度上昇を防ぎ、バイアスプラズマCVD法により基板上に硬質炭素被膜を形成する。【構成】 真空チャンバ8内に設けられ、その周面に基板13を複数個装着可能とした筒状の基板ホルダ12と、該筒状基板ホルダ12の周面を囲むように電子の平均自由行程以下の距離隔てて設けられ、その一部に開口部15を有する筒状のシールドカバー14と、開口部15を介してプラズマを基板13に向けて放射するプラズマ発生手段4と、プラズマ発生手段4からのプラズマ中に炭素を含む反応ガスを供給する反応ガス導入手段16と、基板13に発生する自己バイアスが負となるように高周波電圧を基板ホルダ12に印加する高周波電源10とを備えることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に硬質炭素被膜を形成するための装置であって、真空チャンバと、前記真空チャンバ内に回転自在に設けられる基板ホルダと、前記基板ホルダの周面を囲むように設けられ、その一部に開口部を有するシールドカバーと、前記真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマを前記開口部を介して前記基板に向けて放射するプラズマ発生手段と、前記プラズマ発生手段からのプラズマ中に炭素を含む反応ガスを供給する反応ガス導入手段と、前記基板に発生する自己バイアスが負となるように高周波電圧を前記基板ホルダに印加する高周波電源と、を備える硬質炭素被膜形成装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-177576
  
• テ-プ走行用ロ-ラ-とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-331344   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平4-346653