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J-GLOBAL ID：200903036081464260
フォトマスク及び半導体装置の製造方法並びに光近接効果補正方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
森 哲也
, 内藤 嘉昭
, 崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003176756
Publication number (International publication number)：2005010635
Application date： Jun. 20, 2003
Publication date： Jan. 13, 2005
Summary：
【課題】マスクパターンを変形させることなく光近接効果補正を行える新規なフォトマスク及び半導体装置の製造方法並びに光近接効果補正方法の提供。【解決手段】透光性の支持体12上のマスクパターンPに、その密集部分に配置される一部の遮光ラインLあるいは全部の遮光ラインL上を解像されない形状で部分的に刳り貫く。これによって、マスクパターンPを細くしたり太くしたりして変形させることなく、光密度を均一化して光近接効果補正を容易に行える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
透光性の支持体上に遮光ラインが疎密に配置されたマスクパターンを備えたフォトマスクにおいて、
上記マスクパターンは、その密集部分に配置される一部の遮光ラインあるいは全部の遮光ライン上を解像されない形状で部分的に刳り貫いてその光密度を孤立部分に配置される遮光用ラインの光密度と揃えるように光近接効果補正がなされていることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
