Pat
J-GLOBAL ID：200903036091105918

狭分散性重合体の製造方法、狭分散性重合体及びそれのレジストへの適用

Inventor：
寺川 貴清

About 寺川 貴清


Applicant, Patent owner：
住友化学工業株式会社

About 住友化学工業株式会社


Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998194618
Publication number (International publication number)：2000026535
Application date： Jul. 09, 1998
Publication date： Jan. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 レジスト用樹脂材料として好適な狭分散性のポリスチレン系重合体を製造し、この重合体を用いて、感度及び解像度に優れた化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 下式(I)(RはC1-12のアルキル又はC1-12のアルカノイルを表す)のスチレン誘導体をフリーラジカル開始剤及び含窒素安定フリーラジカル作用剤の存在下、リビング的にラジカル重合させ、目的の分子量まで重合が進んだ後に重合停止剤を加えて、重合体末端に結合したフリーラジカル作用剤を除去することにより、狭分散性ポリスチレン類が得られる。このポリスチレン類の-Rに相当する基を脱離させて、-O-Rの部分を水酸基とした後、酸に不安定な基でその水酸基を部分的に保護することにより、p-ヒドロキシスチレン単位とその水酸基が酸に不安定な基で保護された単位を有する共重合体が得られる。この共重合体を樹脂成分とするポジ型レジスト組成物も提供される。
Claim (excerpt)：
下式(I)(式中、Rは炭素原子数1〜12のアルキル又は全炭素原子数1〜12のアルカノイルを表す)で示されるスチレン誘導体をフリーラジカル開始剤及び含窒素安定フリーラジカル作用剤の存在下、リビング的にラジカル重合させ、目的とする分子量まで重合が進んだ後に、重合停止剤を加えて重合体末端に結合した前記安定フリーラジカル作用剤を除去することを特徴とする狭分散性ポリスチレン類の製造方法。
IPC (5)：
C08F 12/22 ,  C08F 2/38 ,  C08F 6/00 ,  C08F 8/00 ,  G03F 7/039 601
FI (5)：
C08F 12/22 ,  C08F 2/38 ,  C08F 6/00 ,  C08F 8/00 ,  G03F 7/039 601
F-Term (39)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025BE00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42 ,  2H025CB51 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  4J011AA05 ,  4J011NA02 ,  4J011NA05 ,  4J011NB02 ,  4J100AB07P ,  4J100BA04H ,  4J100BA04P ,  4J100BC53H ,  4J100CA01 ,  4J100CA31 ,  4J100DA05 ,  4J100FA03 ,  4J100FA06 ,  4J100HA08 ,  4J100HA55 ,  4J100HB25 ,  4J100HB26 ,  4J100HC10 ,  4J100HC13 ,  4J100HC54 ,  4J100HC69 ,  4J100HC71 ,  4J100JA37
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM