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J-GLOBAL ID：200903036091289113

薄膜サーミスタの製造方法

Inventor： 櫟原 勉 ,  相澤 浩一
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996007837
Publication number (International publication number)：1997199304
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】B定数を大きくしかつ導電率を高くするという相反する条件を満たす小型かつ低抵抗のサーミスタ素子を製造する。【解決手段】サーミスタ素子はプラズマCVD法により製造される。原料ガスはモノシランとメタンガスとの混合ガスを水素ガスにより希釈したものであり、ドーパントガスとしてジボランを用いる。原料ガスに対するドーパントガスの流量比は1%以上とし、水素ガスの原料ガスに対する流量比は4以下とする。プラズマCVDの際の放電の電力密度は110mW/cm2 以上とし、原料ガスの流量は40〜60sccmとする。この条件で製造すれば、係数(σ0 )が大きくなり、B定数の低下を防止しながらも導電率を大きくとることができる。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD法を用いてサーミスタ素子として機能する半導体薄膜を形成するにあたり、放電の電力密度を110mW/cm2 以上としたことを特徴とする薄膜サーミスタの製造方法。

IPC (3)：

H01C 7/02 ,  H01C 7/04 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01C 7/02 ,  H01C 7/04 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体薄膜サーミスタおよび赤外線検出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068121   Applicant：松下電工株式会社