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J-GLOBAL ID：200903036105735553

高効率シリコン-ゲルマニウム太陽電池

Inventor： ホルスト キッベル ,  ウルフ ケーニッヒ ,  ヨハネス コンレ ,  ハルトムート プレスティング
Applicant, Patent owner： ダイムラークライスラー アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001374692
Publication number (International publication number)：2002203977
Application date： Dec. 07, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、シリコンp-nダイオード接合部の空間電荷帯域中に作用ベース層としての量子井戸構造体を有するシリコン-ゲルマニウム薄層太陽電池を内容とする。【解決手段】 量子井戸構造体は、シリコン及びゲルマニウムからなる層順序から構成されている。【効果】 本発明の方法により、シリコン太陽電池中に高吸収性ベース層が製造される。

Claim (excerpt)：

シリコン-ゲルマニウム薄層太陽電池において、シリコン基板(1、2、3)の上に、シリコンとゲルマニウムとからの層順序から構成された量子井戸構造体が、シリコンp-nダイオード接合部(6、7)の空間電荷帯域中に対応配置されていることを特徴とする、シリコン-ゲルマニウム薄層太陽電池。

F-Term (5)：

5F051AA02 ,  5F051CB11 ,  5F051CB12 ,  5F051DA03 ,  5F051DA13