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J-GLOBAL ID：200903036121822563

半導体装置

Inventor： 樹神 雅人 ,  西部 祐司 ,  上杉 勉 ,  林 栄子 ,  細川 秀記 ,  濱田 公守
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002214236
Publication number (International publication number)：2004056003
Application date： Jul. 23, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】高耐圧でありながら、オン抵抗が十分に低い半導体装置を実現する。【解決手段】パワーMOSFET20のトレンチゲート電極34は、ボディ領域30を貫通するとともにドレイン領域26まで伸びるトレンチ33内にゲート絶縁膜36で覆われた状態で埋込まれ、かつ、トレンチゲート電極34の下端もドレイン領域26まで達している。ゲート絶縁膜36は、トレンチゲート電極34の側面と底面を覆う部分の厚さが全体に亘って0.2μm以上である。オン時には、ゲート絶縁膜36を介してトレンチゲート電極34の側面に沿って伸びるボディ領域30aにチャネルが形成される。このパワーMOSFET20には、駆動手段によって20V以上のゲート駆動電圧がトレンチゲート電極34に印加される。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

第1導電型のドレイン領域と、ドレイン領域に接する第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域に接する第2導電型のボディ領域と、ボディ領域に接する第1導電型のソース領域と、トレンチゲート電極と、ゲート絶縁膜と、駆動手段を備え、 トレンチゲート電極は、ボディ領域を貫通するとともに不純物濃度1017cm-3以上のドレイン領域又はドリフト領域まで伸びるトレンチ内にゲート絶縁膜で覆われた状態で埋込まれ、かつ、トレンチゲート電極の下端も不純物濃度1017cm-3以上のドレイン領域又はドリフト領域まで達しており、 ゲート絶縁膜は、トレンチゲート電極の側面と底面を覆う部分の厚さが全体に亘って0.2μm以上であり、 駆動手段は、20V以上のゲート駆動電圧をトレンチゲート電極に印加するように構成され、 オン時には、ゲート絶縁膜を介してトレンチゲート電極の側面に沿って伸びるボディ領域にチャネルが形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L29/78 ,  H02M3/00

FI (7)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 656Z ,  H02M3/00 Z

F-Term (4)：

5H730AA14 ,  5H730AS00 ,  5H730AS04 ,  5H730BB02