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J-GLOBAL ID：200903036139372824

半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。

Inventor： 渡辺 秀明 ,  今本 浩史
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992218241
Publication number (International publication number)：1994045650
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 微小な発光径を有し、しかも高い発光効率を有する半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体基板1の上に半導体からなる多層反射膜層2、下部クラッド層3、活性層4、上部クラッド層5を順次積層する。上部クラッド層5の上面には円錐台や角錐台等の凸状部分6を設け、凸状部分6の頂面に光出射窓8を開口するようにして上部クラッド層5の表面に電極9を形成し、凸状部分6の外周面の斜面7に電極9による光反射面11を形成する。活性層4から出射された光の一部は、多層反射膜層2と光反射面11の間で多重反射された後、光出射窓8から外部へ出射される。

Claim (excerpt)：

基板の上方に多層反射膜層が形成され、該多層反射膜層の上方に活性層が形成され、該活性層の上方から光を取り出される半導体発光素子において、上記活性層の上方に凸状部分を形成し、該凸状部分の側面を斜面に形成すると共に該斜面に光反射面を形成し、該凸状部分の頂部に光出射窓を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (6)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  G01B 11/00 ,  G01C 3/06 ,  G01D 5/36 ,  G06K 7/10