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J-GLOBAL ID：200903036147069375
基板型半導体式ガスセンサ及びガス検出器
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048393
Publication number (International publication number)：1995260727
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 長期安定性、温湿度依存性、品質安定性、薄膜依存性の点で優れ、例えば、アルコール類、ケトン類、アルデヒド類等の匂いを有するガスに対しても、これを感度良く、選択性よく検知することができる基板型半導体式ガスセンサ及びこれを備えたガス検出器を得る。【構成】 基板上に酸化スズを主成分とする金属酸化物半導体膜層を備え、金属酸化物半導体膜層に電気的に接続された検出電極を備えて構成される基板型半導体式ガスセンサにおいて、酸化スズの平均一次粒子径が35nmから70nmに形成し、金属酸化物半導体膜層の膜厚を10μmから50μmまたは150μm以上に形成し、センサ温度を450〜550°Cに設定して、匂いガス、水素ガスを検出する。
Claim (excerpt)：
基板(2)上に酸化スズを主成分とする金属酸化物半導体膜層(3)を備え、前記金属酸化物半導体膜層(3)に電気的に接続された検出電極(4)を備えて構成される基板型半導体式ガスセンサであって、前記酸化スズの平均一次粒子径が35nmから70nmに形成され、前記金属酸化物半導体膜層(3)の膜厚を10μmから50μmに形成されている基板型半導体式ガスセンサ。
Patent cited by the Patent：
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