Pat

J-GLOBAL ID：200903036168540507

有機高分子メモリ素子

Inventor： ワレン・ビー・ジャクソン ,  スベン・モラー
Applicant, Patent owner： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005007750
Publication number (International publication number)：2005203793
Application date： Jan. 14, 2005
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：

【課題】 繰り返し読み出しアクセス動作に対して安定な、有機高分子ベースのメモリ素子を提供する。【解決手段】 概して、有機高分子層への電子の流入は、メモリ素子に電位を適用してから有機高分子層内で正孔電流が発生する時点よりも遅い時点で起こる。従って、電子阻止層を導入することによって、且つ/又は読み出しアクセス動作時の適用電圧時間を制限することによって、安定なメモリ素子を製造することができる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

第1の電極(1202)と、 第2の電極(1210)と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置され且つ電位適用下で電子が導入されると導電率が検出し得る程度低下する導電性有機高分子層(102、1104、1206、1302)と、 を含んで成る有機高分子メモリ素子(1202、1204、1206、1208、1210)であって、 前記有機高分子層を第1の導電率状態にする書き込み閾の適用により繰り返し書き込み可能であり、且つ前記有機高分子層を第2の導電率状態にする読み出し閾の適用によって繰り返し読み出し可能である、有機高分子メモリ素子。

IPC (1)：

H01L27/10

FI (1)：

H01L27/10 431

F-Term (4)：

5F083CR14 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38