パターン形成方法及びモールド

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006211745
Publication number (International publication number)：2008036491
Application date： Aug. 03, 2006
Publication date： Feb. 21, 2008
Summary：

【課題】既存のリソグラフィ-技術よりも小さい寸法を有した様々な形状のパターンが形成できるようにする。【解決手段】ガイドパターン702が形成された中性層801上に、例えば2種類のブロック鎖A及びブロック鎖Bから構成されたブロック共重合体(ジブロック共重合体)よりなるブロック共重合体薄膜703を形成する。中性層801は、表面自由エネルギーが、用いるブロック共重合体の各ブロック鎖の表面自由エネルギ-の範囲内に存在する材料から構成する。また、ブロック鎖Bは、ガイドパターン702の表面への親和性が高く、ブロック共重合体薄膜703をミクロ相分離させた場合、ブロック鎖Bが選択的にガイドパターン702の表面に接触するものとする。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

基板の上に互いに異なる表面自由エネルギーを持つ少なくとも2つのブロック鎖から構成されたブロック共重合体よりなる薄膜を形成し、前記ブロック共重合体をミクロ相分離することでパターンを形成するパターン形成方法において、前記基板の上の前記ブロック共重合体が接触する面が、2つの前記ブロック鎖の表面自由エネルギーの中間の値の表面自由エネルギーとされた状態とする第1工程と、前記基板の上に、側面の表面自由エネルギーが2つの前記ブロック鎖の一方の表面自由エネルギーに近い表面自由エネルギーとされた複数のガイドパターンが形成された状態とする第2工程と、前記ガイドパターンの間の前記基板の上に、前記ブロック共重合体よりなる前記薄膜が形成された状態とする第3工程と、前記薄膜を構成する前記ブロック共重合体がミクロ相分離されて、2つの前記ブロック鎖の相よりなる2つのパターン領域が前記薄膜に形成された状態とする第4工程とを少なくとも備えることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4)：

B05D 5/00 , H01L 21/306 , B29C 33/38 , B05D 7/24

FI (5)：

B05D5/00 Z , H01L21/302 105A , B29C33/38 , B05D7/24 302J , H01L21/306 Z

F-Term (56)：

4D075AD03 , 4D075BB45Z , 4D075BB66Z , 4D075BB91Z , 4D075CA47 , 4D075CB38 , 4D075DA06 , 4D075DB14 , 4D075DC16 , 4D075EA07 , 4D075EB12 , 4D075EB14 , 4D075EB22 , 4D075EB43 , 4F202AG01 , 4F202AG05 , 4F202AJ03 , 4F202AJ09 , 4F202CA19 , 4F202CB29 , 4F202CD23 , 5F004BA04 , 5F004BA14 , 5F004BD01 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB14 , 5F004DB21 , 5F004DB22 , 5F004DB23 , 5F004EA04 , 5F043AA02 , 5F043AA03 , 5F043AA04 , 5F043AA24 , 5F043AA26 , 5F043AA31 , 5F043BB01 , 5F043BB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

U.S.Patent 5,948,470
U.S.Patent 6,746,825,B2

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