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J-GLOBAL ID：200903036173957955

圧電磁器

Inventor：
古川 正仁

About 古川 正仁

, 
堀野 賢治

About 堀野 賢治

, 
佐藤 直義

About 佐藤 直義

, 
黒田 朋史

About 黒田 朋史


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (2)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003281357
Publication number (International publication number)：2005047746
Application date： Jul. 28, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
【課題】 圧電特性を向上させることができる圧電磁器を提供する。【解決手段】 菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物および正方晶系ペロブスカイト構造を有する第2の化合物に加えて、Biと、Mg,Fe,Co,Ni,CuおよびZnからなる群のうちの少なくとも1種の二価金属元素と、ZrおよびSnからなる群のうちの少なくとも1種の四価金属元素と、Oとを含む第3の化合物を含有する。これらは固溶していても完全に固溶していなくてもよい。第1の化合物の組成比x、第2の化合物の組成比y、および第3の化合物の組成比zは、モル比で、x+y+z=1,0.35≦x≦0.99,0<y≦0.55,0<z≦0.1をそれぞれ満たす範囲内であることが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
菱面晶系ペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、 正方晶系ペロブスカイト構造を有する第2の化合物と、 ビスマス(Bi)と、マグネシウム(Mg),鉄(Fe),コバルト(Co),ニッケル(Ni),銅(Cu)および亜鉛(Zn)からなる群のうちの少なくとも1種の二価金属元素と、ジルコニウム(Zr)およびスズ(Sn)からなる群のうちの少なくとも1種の四価金属元素と、酸素(O)とを含む第3の化合物と を含有することを特徴とする圧電磁器。
IPC (4)：
C04B35/46 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24
FI (4)：
C04B35/46 J ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/22 A ,  H01L41/22 B
F-Term (15)：
4G031AA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA21 ,  4G031AA22 ,  4G031AA23 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA31 ,  4G031AA32 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031GA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)
  • 圧電磁器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-281359   Applicant：TDK株式会社
  • 圧電磁器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-242181   Applicant：ティーディーケイ株式会社
  • 特公平4-060073

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