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J-GLOBAL ID:200903036179155435

ダスト分析装置及びダスト分析方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993139794
Publication number (International publication number):1994275228
Application date: Mar. 23, 1993
Publication date: Sep. 30, 1994
Summary:
【要約】【構成】本発明は、半導体ウハ-や液晶パネルなどの大きな試料上の0.05μm以下のダストを元素同定することができる元素分析装置を提供するために、試料を対物レンズの磁場中に位置させるとともにオ-ジ電子のエネルギ-測定を飛行時間測定装置若しくは飛行時間測定法により行うことを特徴とする。【効果】ダストのダメ-ジ、チャ-ジアップの影響を非常に抑えた条件で、大きな試料上に0.05μm以下のダストの元素同定行うことができる。
Claim (excerpt):
電子ビームを対物レンズにより細く絞って試料に照射して放出したオージェ電子のエネルギーを測定することにより、試料の元素同定を行う分析装置において、試料を対物レンズの磁場中に位置させるとともにオージェ電子のエネルギー測定を飛行時間測定装置により行うことを特徴とする分析装置。
IPC (2):
H01J 37/252 ,  H01J 49/40

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