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J-GLOBAL ID：200903036180221190

誘電体光導波路及びその製造方法

Inventor： 石井 宏明
Applicant, Patent owner： 日本航空電子工業株式会社
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994308737
Publication number (International publication number)：1996166520
Application date： Dec. 13, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】 製造が容易で伝送効率が高い誘電体光導波路を提供する。【構成】 半導体基板1にメサ構造の凹溝5又は凸条6を形成し、この形成面に1回の成膜工程により第1クラッド層2,光導波層3,第2クラッド層4の順に形成する。凹溝5の底面に対応する光導波層の部分3B又は凸条6の頂面に対応する光導波層の部分3Cの端面に光を入射させることにより、これらの部分3B又は3Cに光が閉じ込められて伝播される。

Claim (excerpt)：

A.半導体基板上に形成されたメサ構造の凸条又は凹溝と、B.この凸条又は凹溝の形成面に被着形成された第1クラッド層と、C.この第1クラッド層の上面に被着形成され、第1クラッド層の屈折率より高い屈折率を持つ光導波路と、D.この光導波路の形成面上に被着形成され、上記第1クラッド層と同等の屈折率を持つ第2クラッド層と、によって構成したことを特徴とする誘電体光導波路。

IPC (2)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/13

FI (2)：

G02B 6/12 A ,  G02B 6/12 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-143004
  
• 特開昭54-107354
  
• 特開昭64-035405