Pat
J-GLOBAL ID：200903036193803695
プラズマCVD装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992355784
Publication number (International publication number)：1994188206
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 純度が高く良好な結晶構造を有する膜を形成することのできるプラズマCVD装置を提供する。【構成】 ECR型のプラズマ生成手段により形成されるプラズマ高密度領域4と被処理体ホルダ100との間に遮蔽部材6を設けることにより、被処理体101へイオンや電子が入射することを抑え、CVD膜のダメージを防ぐ。
Claim (excerpt)：
エレクトロン・サイクロトロン・レゾナンス型のプラズマ生成手段と被処理体ホルダとが設けられたプラズマ室を有し、前記プラズマ生成手段により形成されたプラズマ高密度領域と前記被処理体ホルダとの間に遮蔽部材が設けられていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
