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J-GLOBAL ID：200903036194784384

半導体発光素子

Inventor： 倉又 朗人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994119950
Publication number (International publication number)：1995326817
Application date： Jun. 01, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 バンドギャップを大きくする組成を採用しても,クラッド層のキャリア濃度を大きくする。【構成】 1)II-VI 族化合物半導体を用いて構成される発光素子であって,p型クラッド層がMg, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni の少なくとも1つの元素を含む材料からなる超格子構造である,2)超格子構造を構成する2つの層の内,少なくとも片方の層のみにp型不純物がドーピングされている,3)超格子構造がMgx Zn1-x Sy Se1-y /Mgx' Zn1-x' Se1-y' ,4)前記4に記載のMgの代わりに,Ca,Sc,Ti, V,Cr,Mn,Fe,Co,Niの内のいずれか1つの元素で構成される,5)p型不純物がN, P, As,Sb, Bi, Li, Na, K, Rb,Csの少なくとも1つの元素である。

Claim (excerpt)：

II-VI 族化合物半導体を用いて構成される発光素子であって,p型クラッド層がMg, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni の内の少なくとも1つの元素を含む材料からなる超格子構造であることを特徴とする半導体発光素子。