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J-GLOBAL ID:200903036205988513

半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996325399
Publication number (International publication number):1998172931
Application date: Dec. 05, 1996
Publication date: Jun. 26, 1998
Summary:
【要約】【課題】 粘着力が経時変化せず、紫外線を照射した際には粘着力が適度に低下する特性を有する粘着フィルムを用いる半導体ウェハの裏面研削方法、及び該方法に使用する粘着フィルムを提供する。【解決手段】 基材フィルムの片表面に紫外線硬化型粘着剤層が形成された粘着フィルムを半導体ウェハの表面に貼付して半導体ウェハの裏面を研削し、その後照射し、次いで、粘着フィルムを剥離する半導体ウェハの裏面研削方法であって、該基材フィルムがフタロシアニン系色素を含有し、波長域320〜380nmの全域における光線透過率が60%以下、該波長域の少なくとも一部における光線透過率が20%以上であり、且つ、厚みが30〜500μmである半導体ウェハの裏面研削方法、及びその方法に使用する粘着フィルム。
Claim (excerpt):
基材フィルムの片表面に紫外線照射により硬化する性質を有する粘着剤層が形成された粘着フィルムを、その粘着剤層を介して半導体ウエハの表面に貼付して該半導体ウエハの裏面を研削し、研削終了後に該粘着フィルム側から紫外線を照射し、次いで、該粘着フィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であって、該基材フィルムが、フタロシアニン系色素を含有し、波長域320〜380nmの全域における光線透過率が60%以下、該波長域の少なくとも一部における光線透過率が20%以上であり、且つ、厚みが30〜500μmであることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。
IPC (4):
H01L 21/304 321 ,  B24D 11/00 ,  C09J 7/02 ,  C09J 11/06
FI (4):
H01L 21/304 321 B ,  B24D 11/00 P ,  C09J 7/02 Z ,  C09J 11/06

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