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J-GLOBAL ID：200903036212881848

オーミック電極とその形成方法

Inventor： 鈴木 譲
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998171260
Publication number (International publication number)：2000012831
Application date： Jun. 18, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 III-V族窒化物系化合物半導体用であって、耐熱性が優れているオーミック電極とその形成方法を提供する。【解決手段】 このオーミック電極は、III-V族窒化物系化合物半導体から成るn型層2の上に形成され、Al層3aとTi層3bとAu層3cとをこの順序で積層して成り、Al層3aの厚みは200nm未満であり、これは、III-V族窒化物系化合物半導体から成るn型層の上にAl層とTi層とAu層をこの順序で積層したのち、窒素雰囲気下において温度400〜700°Cで3分〜250時間の熱処理を施して形成される。

Claim (excerpt)：

III-V族窒化物系化合物半導体から成るn型層の上に形成され、Al層とTi層とAu層とをこの順序で積層して成ることを特徴とするオーミック電極。

IPC (3)：

H01L 29/43 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 29/46 H ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/28 301 H

F-Term (30)：

4K029AA04 ,  4K029BA03 ,  4K029BA05 ,  4K029BA17 ,  4K029BB02 ,  4K029BD02 ,  4K029CA01 ,  4K029EA01 ,  4K029GA01 ,  4K029GA05 ,  4K029HA00 ,  4M104AA01 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG04 ,  4M104GG06 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20